Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Производитель




Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)


















































Напряжение (Vdss)




Ток нагрузки (макс)




Полярность


Напряжение пробоя (V(BR)GSS)




Напряжение отсечки (VGS off) @ Id



















































Емкость @ Vds





























Сопротивление - RDS (On)



















Тип монтажа

Корпус













Мощность макcимальная












 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MPF4392GMPF4392GON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF4392MPF4392ON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF4393MPF4393ON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF4393RLRPGMPF4393RLRPGON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF4393GMPF4393GON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFT46,215BFT46,215NXP SemiconductorsFET N-CHAN 25V SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Ток нагрузки (макс): 10mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.2V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR30,215BFR30,215NXP SemiconductorsFET N-CHAN 25V SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Ток нагрузки (макс): 10mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 4pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR31,215BFR31,215NXP SemiconductorsFET N-CHAN 25V SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Ток нагрузки (макс): 10mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 4pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBF5458MMBF5458Fairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBF5457MMBF5457Fairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBF5459MMBF5459Fairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5457_D74ZFairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5458_D26ZFairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5458_D27ZFairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5458Fairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5459Fairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5457_D75ZFairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5459_D75ZFairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5457_D26ZFairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5459_D74ZFairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5457_D27ZFairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5459_D27ZFairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J201J201Fairchild SemiconductorIC AMP GP N-CHAN 40V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBF5461MMBF5461Fairchild SemiconductorIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBF5460MMBF5460Fairchild SemiconductorIC AMP GP P-CHAN 40V 10MA SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  предыдущая12345678 ... 13  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте