Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Производитель




Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)


















































Напряжение (Vdss)




Ток нагрузки (макс)




Полярность


Напряжение пробоя (V(BR)GSS)




Напряжение отсечки (VGS off) @ Id



















































Емкость @ Vds





























Сопротивление - RDS (On)



















Тип монтажа

Корпус













Мощность макcимальная












 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
J111J111Fairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J111_D26ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J111_D27ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J111_D74ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J111_D75ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J111RL1GJ111RL1GON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J111RLRAGJ111RLRAGON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J111RLRPGJ111RLRPGON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112J112Fairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112,126J112,126NXP SemiconductorsJFET N-CH 40V 20MA SOT54
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 400мВт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112_D11ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112_D26ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112_D27ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112_D74ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112GJ112GON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112RL1J112RL1ON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112RL1GJ112RL1GON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112RLRAJ112RLRAON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112RLRAGJ112RLRAGON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J113Fairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J113,126J113,126NXP SemiconductorsJFET N-CH 40V 2MA SOT54
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 400мВт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J113_D26ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J113_D27ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J113_D74ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J113_D75ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 3456789 ... 13  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте