Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BF247A_J35Z | Fairchild Semiconductor | JFET N-CH 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100nA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR30,215 | NXP Semiconductors | FET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Ток нагрузки (макс): 10mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 4pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR30LT1 | ON Semiconductor | TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFR30LT1G | ON Semiconductor | TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFR31,215 | NXP Semiconductors | FET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Ток нагрузки (макс): 10mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 4pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR31LT1 | ON Semiconductor | TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFR31LT1G | ON Semiconductor | TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFT46,215 | NXP Semiconductors | FET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Ток нагрузки (макс): 10mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.2V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSR56 | Fairchild Semiconductor | IC AMP N-CHAN 40V 50MA SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 25 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSR56,215 | NXP Semiconductors | JFET N-CH 40V 50MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 25 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSR57 | Fairchild Semiconductor | IC AMP N-CHAN 40V 20MA SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSR57,215 | NXP Semiconductors | JFET N-CH 40V 20MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSR58 | Fairchild Semiconductor | IC AMP N-CHAN 40V 8MA SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSR58,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 8MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSR58LT1G | ON Semiconductor | TRANS JFET N-CHAN 40V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 350mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FJN598JABU | Fairchild Semiconductor | IC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 150mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FJN598JATA | Fairchild Semiconductor | IC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 150mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FJN598JBBU | Fairchild Semiconductor | IC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 150mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FJN598JBTA | Fairchild Semiconductor | JFET N-CHAN SI 20V 1MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 150mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FJN598JCBU | Fairchild Semiconductor | IC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 150mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FJN598JCTA | Fairchild Semiconductor | JFET N-CHAN SI 20V 1MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 150mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FJX597JBTF | Fairchild Semiconductor | IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 20В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Мощность макcимальная: 100mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FJX597JCTF | Fairchild Semiconductor | IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 20В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Мощность макcимальная: 100mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FJX597JHTF | Fairchild Semiconductor | IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Мощность макcимальная: 100mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FJZ594JBTF | Fairchild Semiconductor | IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-623F · Мощность макcимальная: 100mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |