Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Производитель




Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)


















































Напряжение (Vdss)




Ток нагрузки (макс)




Полярность


Напряжение пробоя (V(BR)GSS)




Напряжение отсечки (VGS off) @ Id



















































Емкость @ Vds





























Сопротивление - RDS (On)



















Тип монтажа

Корпус













Мощность макcимальная












 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BF247A_J35ZBF247A_J35ZFairchild SemiconductorJFET N-CH 25V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100nA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR30,215BFR30,215NXP SemiconductorsFET N-CHAN 25V SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Ток нагрузки (макс): 10mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 4pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR30LT1BFR30LT1ON SemiconductorTRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR30LT1GBFR30LT1GON SemiconductorTRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR31,215BFR31,215NXP SemiconductorsFET N-CHAN 25V SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Ток нагрузки (макс): 10mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 4pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR31LT1BFR31LT1ON SemiconductorTRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR31LT1GBFR31LT1GON SemiconductorTRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFT46,215BFT46,215NXP SemiconductorsFET N-CHAN 25V SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Ток нагрузки (макс): 10mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.2V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSR56BSR56Fairchild SemiconductorIC AMP N-CHAN 40V 50MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 25 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSR56,215BSR56,215NXP SemiconductorsJFET N-CH 40V 50MA SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 25 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSR57BSR57Fairchild SemiconductorIC AMP N-CHAN 40V 20MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 0.5nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSR57,215BSR57,215NXP SemiconductorsJFET N-CH 40V 20MA SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSR58BSR58Fairchild SemiconductorIC AMP N-CHAN 40V 8MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSR58,215BSR58,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH 40V 8MA SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSR58LT1GBSR58LT1GON SemiconductorTRANS JFET N-CHAN 40V SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJN598JABUFairchild SemiconductorIC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 150mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJN598JATAFairchild SemiconductorIC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 150mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJN598JBBUFairchild SemiconductorIC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 150mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJN598JBTAFJN598JBTAFairchild SemiconductorJFET N-CHAN SI 20V 1MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 150mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJN598JCBUFairchild SemiconductorIC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 150mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJN598JCTAFJN598JCTAFairchild SemiconductorJFET N-CHAN SI 20V 1MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 150mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJX597JBTFFJX597JBTFFairchild SemiconductorIC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 20В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  ·  Мощность макcимальная: 100mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJX597JCTFFJX597JCTFFairchild SemiconductorIC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 20В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  ·  Мощность макcимальная: 100mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJX597JHTFFJX597JHTFFairchild SemiconductorIC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  ·  Мощность макcимальная: 100mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJZ594JBTFFairchild SemiconductorIC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-623F  ·  Мощность макcимальная: 100mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 13  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте