Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Производитель	ON Semiconductor

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	2mA @ 15V
Напряжение (Vdss)	25V
Полярность	N-Channel
Напряжение пробоя (V(BR)GSS)	25V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	1V @ 10nA
Емкость @ Vds	7pF @ 15V
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Мощность макcимальная	310mW
Встречается под наим.	2N5458OS

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2N5458G	ON Semiconductor	IC JFET N-CH GP SS 25V TO92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW		Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов