Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 310mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 310mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 310mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V  ·  Ток нагрузки (макс): 20mA  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 10µA  ·  Емкость @ Vds: 12pF @ 10V  ·  Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Mini 3P  ·  Мощность макcимальная: 150mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток нагрузки (макс): 20mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 100mV @ 10µA  ·  Емкость @ Vds: 14pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Mini 3P  ·  Мощность макcимальная: 150mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Ток нагрузки (макс): 30mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10µA  ·  Емкость @ Vds: 6.5pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P  ·  Мощность макcимальная: 150mW