Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Производитель




Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)


















































Напряжение (Vdss)




Ток нагрузки (макс)




Полярность


Напряжение пробоя (V(BR)GSS)




Напряжение отсечки (VGS off) @ Id



















































Емкость @ Vds





























Сопротивление - RDS (On)



















Тип монтажа

Корпус













Мощность макcимальная












 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MMBF5484LT1MMBF5484LT1ON SemiconductorJFET SS N-CHAN 25V SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112RL1GJ112RL1GON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSK30YBUKSK30YBUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 50V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA  ·  Емкость @ Vds: 8.2pF @ 0V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 100mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR30LT1GBFR30LT1GON SemiconductorTRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF4392MPF4392ON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSK596PCWDKSK596PCWDFairchild SemiconductorJFET N-CH 20V 10MA TO-92S
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)  ·  Мощность макcимальная: 100mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF4393MPF4393ON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112_D11ZFairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N54622N5462ON SemiconductorIC AMP JFET SS P-CH 40V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR31LT1GBFR31LT1GON SemiconductorTRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF4393GMPF4393GON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBF5460LT1MMBF5460LT1ON SemiconductorJFET P-CHAN 40V SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSK30YTAKSK30YTAFairchild SemiconductorJFET N-CH 50V 10MA TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA  ·  Емкость @ Vds: 8.2pF @ 0V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 100mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJZ594JBTFFairchild SemiconductorIC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-623F  ·  Мощность макcимальная: 100mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J112RLRAJ112RLRAON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBF5457LT1MMBF5457LT1ON SemiconductorJFET SS N-CHAN 25V SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5638RLRA2N5638RLRAON SemiconductorTRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 310mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J110J110ON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 25V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 18 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 310mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR31LT1BFR31LT1ON SemiconductorTRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5461G2N5461GON SemiconductorIC JFET P-CH SS 40V TO92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J111RLRAGJ111RLRAGON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FJZ594JCTFFairchild SemiconductorJFET N-CH SI 20V 100MW SOT623F
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-623F  ·  Мощность макcимальная: 100mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 678910111213следующая  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте