Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
P1086_D74Z | Fairchild Semiconductor | JFET P-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 75 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
P1086_D75Z | Fairchild Semiconductor | JFET P-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 75 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
P1087 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH P-CHAN 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
P108718 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH P-CHAN 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
P1087_D74Z | Fairchild Semiconductor | JFET P-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
P1087_J18Z | Fairchild Semiconductor | JFET P-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PF5102 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH N-CH 40V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4nA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 700mV @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PF5103 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH N-CH 40V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PF53012 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.7V @ 1nA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBF4391,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 50MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBF4392,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 25MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBF4393,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 5MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ108,215 | NXP Semiconductors | JFET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 8 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ109,215 | NXP Semiconductors | JFET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 12 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ110,215 | NXP Semiconductors | JFET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 18 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ111,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 20MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ112,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 5MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ113,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 2MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ174,215 | NXP Semiconductors | JFET P-CHAN 30V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 85 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ175,215 | NXP Semiconductors | MOSFET P-CH 30V 30MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 125 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ176,215 | NXP Semiconductors | JFET P-CHAN 30V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 250 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ177,215 | NXP Semiconductors | JFET P-CHAN 30V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ308,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 25V 50MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ309,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 25V 30MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ310,215 | NXP Semiconductors | JFET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |