Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Производитель




Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)


















































Напряжение (Vdss)




Ток нагрузки (макс)




Полярность


Напряжение пробоя (V(BR)GSS)




Напряжение отсечки (VGS off) @ Id



















































Емкость @ Vds





























Сопротивление - RDS (On)



















Тип монтажа

Корпус













Мощность макcимальная












 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MMBF5484LT1GMMBF5484LT1GON SemiconductorJFET SS N-CHAN 25V SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ108MMBFJ108Fairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 25V 80MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-SSOT, SuperSOT-3  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ111MMBFJ111Fairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 35V 50MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ112MMBFJ112Fairchild SemiconductorIC SWITCH ANALOG N-CH SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ113MMBFJ113Fairchild SemiconductorIC SWITCH N-CH 35V 50MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ175MMBFJ175Fairchild SemiconductorIC SWITCH P-CH 30V 50MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 125 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ175LT1MMBFJ175LT1ON SemiconductorJFET SS P-CHAN 25V SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 125 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ175LT1GMMBFJ175LT1GON SemiconductorJFET SS P-CHAN 25V SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 125 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ176MMBFJ176Fairchild SemiconductorIC SWITCH P-CHAN 30V 50MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 250 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ177MMBFJ177Fairchild SemiconductorIC SWITCH P-CH 30V 50MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ177LT1MMBFJ177LT1ON SemiconductorJFET SS P-CHAN 25V SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ177LT1GMMBFJ177LT1GON SemiconductorJFET SS P-CHAN 25V SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ201MMBFJ201Fairchild SemiconductorIC SWITCH N-CH 40V 50MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ202MMBFJ202Fairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 40V 50MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ203MMBFJ203Fairchild SemiconductorIC SWITCH N-CHAN 40V 50MA SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ270MMBFJ270Fairchild SemiconductorIC SWITCH P-CHANNEL SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFJ271MMBFJ271Fairchild SemiconductorIC SWITCH P-CHANNEL SOT-23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 1nA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFU310LT1MMBFU310LT1ON SemiconductorJFET SS N-CHAN 25V SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 1nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 10V (VGS)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBFU310LT1GMMBFU310LT1GON SemiconductorJFET SS N-CH 25V SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 1nA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 10V (VGS)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF4392MPF4392ON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF4392GMPF4392GON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF4393MPF4393ON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF4393GMPF4393GON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF4393RLRPGMPF4393RLRPGON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
P1086P1086Fairchild SemiconductorIC SWITCH P-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 45pF @ 15V  ·  Сопротивление - RDS (On): 75 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 678910111213  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте