Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Серия	POWER MOS 7®
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 13A
Ток коллектора (макс)	41A
Мощность макcимальная	250Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247
Встречается под наим.	APT13GP120BDQ1G-ND, APT13GP120BDQ1GMI

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	APT13GP120BG	Microsemi-PPG	IGBT 1200V 41A 250W TO247 Серия: POWER MOS 7® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A · Ток коллектора (макс): 41A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов