Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 100A
Ток коллектора (макс)	123A
Мощность макcимальная	570W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Встречается под наим.	APT100GT120JRDLMI

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	APT100GT120JRDQ4	Microsemi-PPG	IGBT 1200V 123A 570W SOT227 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 123A · Мощность макcимальная: 570W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов