Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT100GN60LDQ4G — IGBT 600V 229A 625W TO264

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.85V @ 15V, 100A
Ток коллектора (макс)	229A
Мощность макcимальная	625W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-264
Встречается под наим.	APT100GN60LDQ4G-ND, APT100GN60LDQ4GMI