Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

APT100GN120J — IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Ток коллектора (макс)	153A
Мощность макcимальная	446W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP