Дискретные полупроводники  ·  IGBT сборки

APTGF250A60D3G — IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 300A
Ток коллектора (макс)	400A
Ток отсечки коллетора (vfrc)	500µA
Емкость @ Vce	13nF @ 25V
Мощность макcимальная	1250W
Вход	Стандарт
Конфигурация	Half Bridge
NTC термистор	Нет
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	Модуль