Дискретные полупроводники · IGBT сборки

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 50A
Ток коллектора (макс)	80A
Ток отсечки коллетора (vfrc)	1mA
Емкость @ Vce	2.77nF @ 25V
Мощность макcимальная	280W
Вход	Стандарт
NTC термистор	Да
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	SP3
Встречается под наим.	APTCV90TL12T3GMI

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	APTGL60TL120T3G	Microsemi-PPG	POWER MODULE IGBT 1200V 60A SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 80A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 2.77nF @ 25V · Мощность макcимальная: 280W · Вход: Стандарт · NTC термистор: Да · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов