Новости микроэлектроники |
| Войти Регистрация |
|
|
|
|
||||
ООО "ТЕРРАЭЛЕКТРОНИКА" → Семейства транзисторов MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 и отладочные средства для них Силовые транзисторы MOSFET 700V CoolMOS™ P7 – ответ Infineon для обратноходовой топологииТранзисторы MOSFET 700V CoolMOS™ P7 разработаны для удовлетворения сегодняшних и, особенно, завтрашних тенденций в обратноходовой топологии. Предлагая фундаментальный прирост производительности по сравнению с superjunction технологией, используемые сегодня новые 700 В транзисторы серии CoolMOS™ P7 адресованы, прежде всего, рынку маломощных импульсных источников питания, таких как зарядные устройства мобильных телефонов, адаптеры ноутбуков, источники питания ТВ, освещения, аудио и др. Семейство 700 V CoolMOS™ P7 предлагает снижение на 2% - 5% потерь на отключение (Eoss) транзистора, до 3.9% более высокую эффективность и впечатляющую до 16°С более низкую температуру транзисторов по сравнению с конкурентами. По сравнению с предыдущей технологией 650 V CoolMOS™ C6 новая технология предлагает повышение эффективности до 2.4% и снижение температуры. Например, температура, измеренная на зарядном устройстве, выполненном по обратноходовой топологии и работающем на частоте коммутации 140 кГц, ниже на 12°С. Основные преимущества семейства MOSFET 700V CoolMOS™ P7: Конкурентная по стоимости технология Полностью оптимизированный выбор продукта Уменьшение индуктивных компонентов и снижение затрат на BOM Высокая степень защиты от ESD до уровня HBM класса 2 Дальнейшее повышение эффективности при более высокой скорости переключения Прирост эффективности до 2.4% и более низкая температура (до 12°С) по сравнению с транзисторами, изготовленными по технологии C6 Транзисторы подходят для небольших форм-факторов и конструкций с высокой плотностью мощности Отличительные особенности транзисторов MOSFET семейства 700V CoolMOS™ P7: Хорошо структурированная номенклатура Большое разнообразие корпусов Возможна высокая частота коммутаций Интегрированный Зенеровский диод Экстремально низкие потери благодаря высокому показателю качества FOM (Figure of merit ) = RDS(on) x Qg(заряд затвора) и показателю Qgх Eoss(потери на отключение); Значительная улучшенная производительность Отличные температурные характеристики Простая в использовании технология Полное соответствие требованиям ЭМС Проведенные производителем тестовые измерения показывают, что P7 позволяет заменить транзисторы с сопротивлением открытого канала 900 мОм на транзисторы с сопротивлением 1400 мОм. Более подробно о средствах разработки на основе транзисторов семейства 700V CoolMOS ™ P7 можно прочесть по ссылке: https://www.terraelectronica.ru/news/4944?&utm_source=chipfind_ru&utm_medium=referral&utm_term=700_800V_CoolMOS_P8&utm_content=20171012&utm_campaign=INFINEON Источник: https://www.terraelectronica.ru • Подробнее: https://www.terraelectronica.r...n=INFINEON
|
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Регистрация • Реклама на сайте |