Новости микроэлектроники |
| Войти Регистрация |
|
|
|
|
||||
БИС ЭЛЕКТРОНИК → Micron совместно с Intel начинают производство 25 нм NAND Flash памяти Сконцентрировав инвестиции в разработку и исследования флэш-памяти, Intel и Micron получили возможность удваивать плотность NAND-чипов приблизительно каждые 18 месяцев. Этот процесс ведет к постоянному уменьшению размеров продукции, повышению ее емкости и снижению производственных затрат. C переходом на 25-нм процесс эти компании совершенствуют производственный цикл и укрепляются на рынке в качестве инноваторов, предлагая наименьший размер ячеек памяти в индустрии.В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 8-гигабайтных модулей 25-нм NAND-памяти. Серийное производство планируется во втором квартале 2010 г. Устройство использует многоуровневую структуру ячеек (MLC) с хранением в каждой двух битов данных. Решение помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP). В новом модуле число чипов, по сравнению с решениями на базе техпроцессов предыдущих поколений, сокращено на 50%. Это позволяет конструировать еще более вместительные решения с меньшим коэффициентом производственных затрат. Для увеличения емкости производитель может использовать несколько модулей. Например, один твердотельный накопитель (SSD) емкостью 256 ГБ может содержать 32 новых модуля вместо 64. Источник: www.micronblogs.com • Подробнее: http://www.bis-el.com/ru/news/...ws104.html
|
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Регистрация • Реклама на сайте |