Войти Регистрация |
|
|
||||
Макро Групп → GaN структуры синих лазерных диодов от PAM-XiamenКомпания PAM-Xiamen анонсировала запуск производства структур синих лазерных диодов на квантовых точках на основе нитрида галлия (GaN).Синие лазерные диоды имеют различные области применения: создание мощных синих лазерных указок, специальных лазерных модулей, медицинских лазеров, лазерных проекторов. Характеристики GaN эпитаксиальных структур синих лазерных диодов на квантовых точках: 1. длина волны: 440-460 нм 2. подложка кремниевая Si: диаметр 50,8 ±0,2 мм, толщина 430 ±30 мкм 3. структура слоев, MOCVD метод: * контактный слой: GaN p-типа * слой сверхрешётки: GaN p-типа * слой блокировки электронов: p-AlGaN * волноводный слой: нелегированный InGaN * QW и QB слой: InGaN и GaN * волноводный слой: n-InGaN * покрывающий слой: n - AlGaN Доступны другие параметры длин волн, размеров и эпитаксиальных слоев. Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором продукции PAM-Xiamen в РФ. По техническим вопросам и заказам обращайтесь по телефону (800) 333-06-05 доб. 783, через форму обратной связи на нашем сайте или пишите по адресу cree@macrogroup.ru. Источник: www.macrogroup.ru • Подробнее: https://www.macrogroup.ru/news...pam-xiamen
|
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Регистрация • Реклама на сайте |