Войти    Регистрация
ChipFind

Новости микроэлектроники

ООО "ТЕРРАЭЛЕКТРОНИКА"Отладочный набор для RF усилителя MAX2640

MAX2640EVKIT – плата предназначена для упрощения оценки бюджетного малошумящего SiGe усилителя MAX2640, разработанного для RF приложений (ISM и др.). Микросхема обеспечивает низкий коэффициент шума, большой коэффициент усиления и работает от одного источника питания в диапазоне напряжений 2.7 В – 5.5 В. Ток потребления при этом составляет < 3.5 мА. Микросхема оптимизирована для работы в диапазоне частот от 300 МГц до 1500 МГц с типичным усилением 15.1 дБ, входной IP3 составляет - 10дБм, а коэффициент шума на частоте 900 МГц - всего 0.9 дБ. (Компания Maxim также выпускает микросхему MAX2641 с рабочим диапазоном 1400 МГц - 2500 МГц и отладочный набор MAX2641EVKIT). Смещение организовано внутри микросхемы усилителя, что устраняет необходимость во внешних резисторах смещения и дросселях. Для оценки MAX2640 никаких дополнительных схем не нужно. Входное и выходное оборудование для тестирования подключается к плате через SMA разъемы. Установленные на плату компоненты оптимизированы для работы на частоте 900 МГц. Соответствующие компоненты могут быть заменены для работы на других частотах в диапазоне 400 МГц – 1500 МГц. Применение: - ISM радио - Беспроводные телефоны - GPS приемники - Беспроводная передача данных - Беспроводные локальные сети (WLAN) Больше информации по ссылке: https://www.terraelectronica.ru/news/5562?utm_source=chipfind.ru&utm_medium=referral&utm_campaign=news&utm_content=20181226&utm_term=MAX2640EVKIT
26 декабря 2018, 14:49 • Источник: https://www.terraelectronica.ru

ООО "ТЕРРАЭЛЕКТРОНИКА"Отладочный набор для RF усилителя MAX2640

MAX2640EVKIT – плата предназначена для упрощения оценки бюджетного малошумящего SiGe усилителя MAX2640, разработанного для RF приложений (ISM и др.). Микросхема обеспечивает низкий коэффициент шума, большой коэффициент усиления и работает от одного источника питания в диапазоне напряжений 2.7 В – 5.5 В. Ток потребления при этом составляет < 3.5 мА. Микросхема оптимизирована для работы в диапазоне частот от 300 МГц до 1500 МГц с типичным усилением 15.1 дБ, входной IP3 составляет - 10дБм, а коэффициент шума на частоте 900 МГц - всего 0.9 дБ. (Компания Maxim также выпускает микросхему MAX2641 с рабочим диапазоном 1400 МГц - 2500 МГц и отладочный набор MAX2641EVKIT). Смещение организовано внутри микросхемы усилителя, что устраняет необходимость во внешних резисторах смещения и дросселях. Для оценки MAX2640 никаких дополнительных схем не нужно. Входное и выходное оборудование для тестирования подключается к плате через SMA разъемы. Установленные на плату компоненты оптимизированы для работы на частоте 900 МГц. Соответствующие компоненты могут быть заменены для работы на других частотах в диапазоне 400 МГц – 1500 МГц. Применение: - ISM радио - Беспроводные телефоны - GPS приемники - Беспроводная передача данных - Беспроводные локальные сети (WLAN) Больше информации по ссылке: https://www.terraelectronica.ru/news/5562?utm_source=chipfind.ru&utm_medium=referral&utm_campaign=news&utm_content=20181226&utm_term=MAX2640EVKIT
26 декабря 2018, 14:37 • Источник: https://www.terraelectronica.ru

ООО "ТЕРРАЭЛЕКТРОНИКА"Преимущества SiC и GaN в автомобильных приложениях

Электронные компоненты на базе широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), становятся все более доступными и популярными. Они все чаще применяются при создании высоковольтных и мощных приложений, в частности автомобильных силовых установок и инверторов. Однако для работы с новыми транзисторами необходимы специализированные драйверы, что требует пересмотра традиционных схемных решений. Еще одной проблемой становится создание новых корпусных исполнений, так как их сертификация для автомобильной отрасли представляет особую сложность... Читать далее: https://www.terraelectronica.ru/news/5514?utm_source=chipfind.ru&utm_medium=referral&utm_campaign=notes&utm_content=20181226&utm_term=SiC-GaN
26 декабря 2018, 14:28 • Источник: https://www.terraelectronica.ru

ООО "ТЕРРАЭЛЕКТРОНИКА"Преимущества SiC и GaN в автомобильных приложениях

Электронные компоненты на базе широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), становятся все более доступными и популярными. Они все чаще применяются при создании высоковольтных и мощных приложений, в частности автомобильных силовых установок и инверторов. Однако для работы с новыми транзисторами необходимы специализированные драйверы, что требует пересмотра традиционных схемных решений. Еще одной проблемой становится создание новых корпусных исполнений, так как их сертификация для автомобильной отрасли представляет особую сложность... Читать далее: https://www.terraelectronica.ru/news/5514?utm_source=chipfind.ru&utm_medium=referral&utm_campaign=notes&utm_content=20181226&utm_term=SiC-GaN
26 декабря 2018, 13:37 • Источник: https://www.terraelectronica.ru

АТОСКабельные сборки Tyco Silver теперь доступны как самостоятельные наборы вилочных коннекторов

Tyco Electronics, объявила о выпуске новых комплектов вилок Sliver. Коннекторы Sliver являются одним из самых гибких решений на рынке, предназначенных для создания внутренних соединений ввода-вывода на плате, и могут использоваться во многих приложениях, при различной скорости передачи данных и протоколах.
26 декабря 2018, 10:32

АВИ СолюшнсНовая модель программируемого источника питания серии SM 70-CP-450P324 от Delta Elektronika

Компания Delta Elektronika расширяет модельный ряд серии SM15K (15 000 Вт). В дополнение к ранее представленным моделям SM 500 – CP – 90P324 (выход 0…500 В, -90…90А) и SM 1500-CP-30P324 (выход 0…1500 В, -30…30А), выпущена новая модель SM 70-CP-450P324 (выход 0…70 В, -450…450А). Источник питания SM 70-CP-450P324 имеет режимы работы аналогичные моделям SM 500 – CP – 90P324 и SM 1500-CP-30P324: питания нагрузки; потребление энергии от нагрузки с возможностью рекуперации в электрическую сеть; возможность эмуляции солнечной панели. Отметим основные преимущества источника питания SM 70-CP-450P324: возможность решения несколько задач с помощью одного устройства, благодаря наличию различных режимов работы: постоянного тока, постоянного напряжения, постоянной мощности; наличие широкого диапазона выходных токов и напряжений, функции автоматического переключения диапазонов - позволяет одним источником заменить; несколько источников питания; низкие значения шумов и пульсаций; обладает высокой стабильность выходного напряжения и тока; высокие динамические характеристики. Основные характеристики и возможности SM 70-CP-450P324: мощность источника питания: 15кВт; широкий диапазон выходных напряжений: от 0 до 70 В; широкий диапазон выходных токов: от 0 до 450 А; работа в различных режимах: постоянного тока, постоянного напряжения, постоянной мощности; рекуперация энергии в электрическую сеть (100% мощности); КПД, как в режиме питания нагрузки, так и в режиме потребления мощности – 95%; небольшие габариты (для своей мощности) и вес: высота 3U, вес – 27 кг. Интерфейсы управления: стандартные интерфейсы – Ethernet; опциональные интерфейсы – аналоговый интерфейс, модуль логических входов/выходов, RS-232, RS-422, RS-485, USB (host). Установка интерфейсов осуществляется по принципу «plug-and-play»; управление источником питания через WEB интерфейс. Программное обеспечение: гибкое программное обеспечение, позволяющее смоделировать произвольный сигнал на выходе источника питания; управление источником питания с использованием LabView и команд SCPI; возможность самостоятельного обновления прошивки.
26 декабря 2018, 10:12 • Источник: Сайт компании АВИ Солюшнс

ДКО ЭЛЕКТРОНЩИКTRENCHSTOP Feature IGBT – защищенные транзисторы для индукционного нагрева

Защищенный IGBT F-Series IEWS20R5135IPB производства Infineon представляет собой силовой транзистор с драйвером затвора в 6-контактном корпусе TO-247. Это первый транзистор нового семейства Protected IGBT от Infineon с режимом мягкой коммутации и новыми функциональными возможностями. Драйвер обеспечивает защиту от перенапряжения, перегрева, диагностику, уникальное активное управление ограничением тока (рис. 1 и 2). Эти интегрированные функции защиты предлагают простое решение с повышенной общей надежностью системы. Применяя защищенные IGBT можно снизить количество внешних компонентов на 30%, при сохранении тех же функций. Также может быть достигнуто уменьшение площади, занимаемой узлом на печатной плате на 25% (рис. 3). Транзисторы IEWS20R5135IPB подойдут для силовых приложений с мягким переключением, таких как индукционные нагреватели, рисоварки, микроволновые печи, индукционные плиты, водонагреватели, кофемашины. Особенности: IGBT с антипараллельным диодом, предназначенный для мягкой коммутации; Напряжение коллектор-эмиттер: 1350 В; Ток коллектора при 100 °С: 20 А; Интегрированный драйвер затвора; Защита от перенапряжения и перегрузки; Активная схема управления ограничением тока; Программируемый порог превышения напряжения; Программируемый порог пошагового ограничения тока (cycle-by-cycle); Предупреждение о высокой температуре; Защита от пониженного напряжения VCC (UVLO); Защита от электростатического заряда и защелкивания на всех выводах; 6-контактный корпус TO-247 Рисунок 1. Структурная схема IEWS20R5135IPB Рисунок 2. Схема включения IEWS20R5135IPB Рисунок 3. Конструктивные преимущества защищенных IGBT

ДКО ЭЛЕКТРОНЩИКДемонстрационная плата изолированных драйверов затвора STGAP2SCM для мощных ключевых транзисторов

Демонстрационная плата EVALSTGAP2SCM от компании ST Microelectronics предназначена для оценки работы изолированных драйверов затвора STGAP2SCM в высоковольтной полумостовой схеме на мощных ключевых транзисторах (MOSFET, IGBT, или SiC). Драйверы имеют гальваническую изоляцию до 1700 В и обеспечивают выходной ток до 4 А. Выходы нижнего и верхнего плеча объединены и имеют один вывод. Кроме того в драйвере имеется схема для активного подавления эффекта Миллера с выходом CLAMP (рис.1). Питание драйверов производится с помощью специализированных изолированных DC-DC преобразователей с двухполярными несимметричными выходами. С помощью перемычек можно выбрать одну из четырех комбинаций напряжений (включая отрицательное управление затвором) наиболее подходящую к используемым силовым транзисторам,. Для повышения надежности системы в устройстве предусмотрено защитное отключение при перегреве и падении напряжения ниже допустимого порога. Два входа позволяют выбирать полярность управляющего сигнала, а также осуществлять блокировку сигнала в случае неисправности контроллера. EVALSTGAP2S позволяет оценить все функции STGAP2SCM при управлении силовым полумостовым каскадом на транзисторах с напряжением до 1700 В в корпусах TO-220 или TO-247. Демонстрационная плата помогает быстро подобрать внешние компоненты для драйвера. Особенности: Высоковольтная шина питания: до 1700 В; Выходной ток драйвера: 4 А при 25 °C; Транзистор для устранения эффекта Миллера: 40 А; Малая задержка распространения: 100 нс; Функция защиты от просадки напряжения (UVLO); Напряжение драйвера: до 26 В; Управление отрицательным напряжением; Встроенные изолированные DC-DC преобразователи для питания драйверов затвора, питаемые 5 В (VAUX); Питание логической части VDD локальным напряжением 3.3 В или VAUX 3.3 В и 5 В TTL/CMOS входы с гистерезисом; Простота выбора конфигурации управляющего напряжения:+15/0 В; +15/-3 В; +19/0 В; +19/-3 В; Выключение при перегреве Риcунок 1. Структурная схема STGAP2SCM

ДКО ЭЛЕКТРОНЩИКTVS-диоды с пиковой мощностью до 400 Вт

Компания ST Microelectronics предлагает TVS-диоды серии SMA4F для защиты чувствительных цепей от импульсных скачков напряжения. Корпус DO-221AC, для поверхностного монтажа высотой всего 1 мм, хорошо подойдет для современных плат с низкопрофильными компонентами. Низкий ток утечки и высокая допустимая температура перехода (до 175 °С) - обеспечивают долговременную стабильность. Высокая удельная мощность диодов SMA4F позволяет использовать их вместо супрессоров SMBJ или SM6T, что поможет снизить затраты при разработке новых изделий. Защитные диоды серии SMA4F найдут применение в солнечных инверторах, телевизионных приставках и для защиты мощных полевых транзисторов. Технические характеристики: Пиковая импульсная рассеиваемая мощность: 400 Вт (10/1000 мкс) и 2,5 кВт (8/20 мкс); Диапазон рабочих напряжений: 5…188 В; Однонаправленная конфигурация; Низкий ток утечки: 0,2 мкА при 25 °C и 1 мкА при 85 °C; Температура перехода Tj: -55…+175 °C; Высокая импульсная рассеиваемая мощность при Tj 175 °C: до 200 Вт (10/1000 мкс); Защита от электростатики по IEC 61000-4-2: контакт 25 кВ; воздух 30 кВ; Низкопрофильный корпус: DO-221AC (SMA Flat Leads); около 2.5 х 4 х 1 мм TVS-диоды SMA4F имеющиеся в наличии: SMA4F5.0A SMA4F6.0A SMA4F10A SMA4F11A SMA4F12A SMA4F14A SMA4F15A SMA4F16A SMA4F18A SMA4F20A SMA4F23A SMA4F33A SMA4F31A

ДКО ЭЛЕКТРОНЩИКВысоковольтные транзисторы CoolGaN™ от Infineon для источников питания

IGT60R070D1 – это транзисторы семейства CoolGaN от Infineon с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия. Новая технология CoolGaN обеспечивает высокую эффективность, максимальную надежность и необходимую плотность мощности конечного продукта. Транзисторы IGT60R070D1 являются нормально закрытыми и работают аналогично обычным кремниевым MOSFET при применении драйверов, учитывающих специфику управления затворами GaN HEMT. Серия CoolGaN обеспечивает КПД системы до 98 % и имеют высокий показатель качества FOM (Rds(on) x Qg), что дает конкурентные преимущества разрабатываемым устройствам. Транзисторы можно использовать в топологиях с жесткой и мягкой коммутацией, например для корректоров коэффициента мощности с функциями выпрямителя, в высокоскоростных резонансных преобразователях (рис. 1). Особенности IGT60R070D1: Нормально закрытые GaN-транзисторы с улучшенной структурой работающие в режиме обогащения; Ультрабыстрое переключение; Нет заряда обратного восстановления; Низкий заряд затвора, низкий выходной заряд; Высокая надежность коммутации; Отлично подходит для жестких и мягких топологий коммутации; Корпус для поверхностного монтажа позволяет достичь максимальных результатов для технологии CoolGaN; Простота использования с доступным ассортиментом драйверов; Квалифицирован для промышленных применений в соответствии со стандартами JEDEC (JESD47 и JESD22). Технические характеристики IGT60R070D1: Напряжение исток-сток VDS, max: 600 В; Максимальный ток стока ID: 31 А (25 °С); Максимальный импульсный ток стока ID,pulse: 60 А; Сопротивление открытого транзистора, макс RDS(on), max: 70 мОм; Полный заряд затвора, QG, typ: 5,8 нКл; Выходной заряд Qoss: 41 нКл (400 В); Заряд восстановления диода Qrr: 0 Рисунок 1. Пример применения CoolGaN-транзисторов

© 2006 — 2019 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
РегистрацияРеклама на сайте