 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||
| Подробное описание из документа: APT5010B2LC 500V 47A 0.100 W POWER MOS VITM Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing | |||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
Электронный компонент «APT5010B2LC» |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||
| Подробное описание из документа: APT5010B2LC 500V 47A 0.100 W POWER MOS VITM Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing | |||||||||||||||||||||||||||
| © 2006 — 2010 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
2,350,236 компонентов 623-х производителей | Регистрация • Реклама на сайте • Версия для PDA |
Оригинальный PDF
Архив WinZIP
HTML страница
